変調ドープ歪層超格子をもつInGaN/GaN/AlGaNをベースにしたレーザダイオード

NAKAMURA S; SENOH M; NAGAHAMA S; IWASA N; YAMADA T; MATSUSHITA T; KIYOKU H; SUGIMOTO Y; CHOCHO K

文献

J-GLOBAL ID：200902154058438587 整理番号：98A0177123

変調ドープ歪層超格子をもつInGaN/GaN/AlGaNをベースにしたレーザダイオード

InGaN/GaN/AlGaN-Based Laser Diodes with Modulation-Doped Strained-Layer Superlattices.

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資料名：
巻： 36 号： 12A ページ： L1568-L1571 発行年： 1997年12月01日
JST資料番号： F0599B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

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半導体レーザ , 半導体の格子欠陥

引用文献 (13件)：

1) For a review, see S. Nakamura and G. Fasol: The Blue Laser Diode (Springer-Verlag, Berlin, 1997) 1st ed.
2) K. Itaya, M. Onomura, J. Nishino, L. Sugiura, S. Saito, M. Suzuki, J. Rennie, S. Nunoue, M. Yamamoto, H. Fujimoto, Y. Kokubun, Y. Ohba, G. Hatakoshi and M. Ishikawa: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) L1315
3) G. E. Bulman, K. Doverspike, S. T. Sheppard, T. W. Weeks, H. S. Kong, H. M. Dieringer, J. A. Edmond, J. D. Brown, J. T. Swindell and J. F. Schetzena: Electron. Lett. 33 (1997) 1556.
4) M. P. Mack, A. Abare, M. Aizcorbe, P. Kozodoy, S. Keller, U. K. Mishra, L. Coldren and S. DenBaars: MRS Int. J. Nitride Semicond. Res. 2 (1997) 41. (Available from http://nsr.mij.mrs.org/2/5/)
5) A. Kuramata, K. Domen, R. Soejima, K. Horino, S. Kubota and T. Tanahashi: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1130

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