半導体装置の製造方法及び製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-238905
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074177
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】 Al系材料を良好に埋め込んで、信頼性高い配線を得るようにした半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。【構成】 Al系配線との接続をとる接続孔2を埋め込んでAl系配線を形成する際、バイアス・スパッタ法あるいは基板冷却下でのスパッタ法により少なくとも膜が途切れること無くAl系膜3を形成する半導体装置及びその製造方法。

請求項（抜粋）：

第1層Al系配線と半導体基板に形成した素子との電気的接続孔もしくは第1層Al系配線と第2層配線または更にその上層配線との電気的接続孔を備える半導体装置の製造方法において、バイアス・スパッタ法あるいは基板冷却下でのスパッタ法により少なくとも膜が途切れること無くAl系膜を形成する工程と、スパッタ法で所定の厚さにAl系膜を形成する工程と、真空を破ること無く基板を加熱し、Al系材料をリフローさせる工程とにより接続孔を埋め込むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/285 301 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/88 K , H01L 21/88 N , H01L 21/90 A

引用特許：

審査官引用 (10件)

半導体装置の金属層形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-151490 出願人：三星電子株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-009215 出願人：三星電子株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-240431 出願人：ソニー株式会社

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