特許

J-GLOBAL ID：200903005925924374

半導体記憶装置

発明者： 神田 和重 ,  池橋 民雄
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-354640
公開番号（公開出願番号）：特開2002-157894
出願日： 2000年11月21日
公開日（公表日）： 2002年05月31日
要約：

【要約】【課題】 パワーオン検知レベルが低いレベルに設定された場合でも、安定したROM読み出しを可能とする不揮発性半導体記憶装置を提供すること。【解決手段】 ヒューズデータが記憶されているメモリセルが配置されているメモリセルアレイ1と、メモリセルから読み出したヒューズデータを格納するヒューズ用レジスタ8と、差動増幅器を有して構成された、基準電圧を発生する基準電圧回路9とを具備する。そして、メモリセルからヒューズデータを読み出す読み出し動作期間中、基準電圧回路・差動増幅器用昇圧回路12を用いて、基準電圧回路9の電源電圧を昇圧する。

請求項（抜粋）：

メモリセルが配置されているメモリセルアレイと、前記メモリセルから読み出したデータを格納するレジスタと、差動増幅器を有して構成された、基準電圧を発生する基準電圧回路とを具備し、前記メモリセルからデータを読み出す読み出し動作期間中、前記基準電圧回路の電源電圧を昇圧することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 17/18 ,  G11C 16/02 ,  G11C 16/06 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4件)：

G11C 17/00 306 Z ,  G11C 17/00 601 E ,  G11C 17/00 632 A ,  H01L 27/04 B

Fターム (19件)：

5B003AA06 ,  5B003AB01 ,  5B003AC07 ,  5B003AD09 ,  5B025AD05 ,  5B025AD10 ,  5B025AE00 ,  5F038AV06 ,  5F038AV15 ,  5F038BB01 ,  5F038BB08 ,  5F038BG02 ,  5F038BG03 ,  5F038BG05 ,  5F038BH19 ,  5F038DF05 ,  5F038DF14 ,  5F038DT12 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体集積回路装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-253995   出願人：株式会社東芝
• 高速、低電圧不揮発性メモリ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平9-508445   出願人：アトメル・コーポレイション