特許
J-GLOBAL ID：200903005994518477
低温焼成セラミック回路基板
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-117002
公開番号（公開出願番号）：特開平7-326835
出願日： 1994年05月30日
公開日（公表日）： 1995年12月12日
要約：
【要約】【目的】 基体側の焼結挙動とAg、Ptを含む表面配線となる導体膜との焼結挙動を近似させ、表面配線の半田濡れ性、基板との接合強度が良好で、且つ半田食われが発生しせず、しかも基板の反りを発生させることがない、安価な低温焼成セラミック回路基板を提供する。【構成】800〜1000°Cで焼成可能なガラス-セラミック材料から成る単層または多層の基体1上に、表面配線2となる導体膜をAg、Ptを含む導電性ペーストの塗布によって形成した後、前記基体1及び前記導体膜を一体的に焼成して成る低温焼成セラミック回路基板10において、前記基体1は、ガラス成分の結晶化温度が焼成温度よりも低く、且つ軟化点が550〜650°Cとしたガラス-セラミックからあり、前記表面配線2となる導体膜が、少なくとも0.5wt%のPtを含むAg系導体から成る。
請求項（抜粋）：
800〜1000°Cで焼成可能なガラス-セラミック材料から成る単層または多層の基体上に、表面配線となる導体膜を一体的に焼成して成る低温焼成セラミック回路基板において、前記基体は、ガラス成分の結晶化温度を焼成温度よりも低く、且つ軟化点を550〜650°Cとしたガラス-セラミック材料から成るとともに、前記導体膜を、少なくとも0.5wt%のPtを含むAg系導体から成る低温焼成セラミック回路基板。
IPC (3件)：
H05K 1/03
, H05K 1/09
, H05K 3/46
