プラズマ処理装置

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出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：井内龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-338697
公開番号（公開出願番号）：特開平10-177996
出願日： 1996年12月18日
公開日（公表日）： 1998年06月30日
要約：

【要約】【課題】従来のインナベルジャーが接地されていないプラズマ処理装置を使用すると、誘起される自己バイアス電圧は比較的小さく、十分なエッチング速度を得るためには高周波電力を増大させなければならないという課題があった。【解決手段】第1のマイクロ波導入窓13を備えた反応容器11と、反応容器11の内壁面に近接して設置され、第1のマイクロ波導入窓13と対向する部分に第2のマイクロ波導入窓22を有するアルミニウム製インナベルジャー21と、反応容器11に第1のマイクロ波導入窓13を介してマイクロ波を導入する導波管14と、反応容器11の外周部に設けられた磁場発生手段15とを備え、マイクロ波と磁場発生手段15とによりプラズマ19を発生させ、プラズマ19により試料Sを処理するプラズマ処理装置10であって、インナベルジャー21が接地されているプラズマ処理装置10を使用する。

請求項（抜粋）：

第1のマイクロ波導入窓を備え、プラズマ生成室、プラズマ引き出し窓、及び試料室により構成される反応容器と、該反応容器の内壁面に近接して設置され、前記第1のマイクロ波導入窓と対向する部分に第2のマイクロ波導入窓を有するアルミニウム製のインナベルジャーと、前記反応容器に前記第1のマイクロ波導入窓を介してマイクロ波を導入する導波管と、前記反応容器の外周部に設けられた磁場発生手段とを備え、前記マイクロ波と前記磁場発生手段とによりプラズマを発生させ、該プラズマにより試料を処理するプラズマ処理装置において、前記インナベルジャーが接地されていることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (4件)：

H01L 21/302 B , C23F 4/00 D , C23F 4/00 G , H05H 1/46 C

引用特許：

審査官引用 (7件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-010090 出願人：三菱電機株式会社
プラズマプロセス装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-060602 出願人：住友金属工業株式会社
特開平1-231321

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