特許

J-GLOBAL ID：200903006017678187

半導体装置及びその製造方法

発明者： 安武 信昭
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-153948
公開番号（公開出願番号）：特開2006-332337
出願日： 2005年05月26日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：

【課題】高速動作を実現する半導体装置及びその製造方法を提供することである。【解決手段】上記の課題を解決した半導体装置は、半導体基板の第1の導電型領域上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の側面に形成された第1の側壁と、前記第1の側壁の側面に形成された第2の側壁と、前記第2の側壁の下方に形成され、第2の導電型の第1の不純物層を含み、ゲルマニウムを含む半導体層と、前記第2の側壁の外側の領域に形成され、前記第1の不純物層より多量の第2の導電型不純物を含む第2の不純物層と、前記第2の不純物層上に形成されたシリサイド層とを具備する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の第1の導電型領域上に絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極の側面に形成された第1の側壁と、 前記第1の側壁の側面に形成された第2の側壁と、 前記第2の側壁の下方に形成され、第2の導電型の第1の不純物層を含み、ゲルマニウムを含む半導体層と、 前記第2の側壁の外側の領域に形成され、前記第1の不純物層より多量の第2の導電型不純物を含む第2の不純物層と、 前記第2の不純物層上に形成されたシリサイド層と を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/823 ,  H01L 27/092

FI (7件)：

H01L29/78 301S ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 301P ,  H01L29/78 301L ,  H01L27/08 321E ,  H01L27/08 321F

Fターム (80件)：

4M104BB19 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB25 ,  4M104DD02 ,  4M104DD50 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104EE09 ,  4M104EE17 ,  4M104FF31 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F048AA07 ,  5F048AA08 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BC01 ,  5F048BC06 ,  5F048BC15 ,  5F048BC18 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA18 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA01 ,  5F140AA13 ,  5F140AA21 ,  5F140AB03 ,  5F140AC01 ,  5F140AC28 ,  5F140BA01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG09 ,  5F140BG12 ,  5F140BG14 ,  5F140BG20 ,  5F140BG30 ,  5F140BG31 ,  5F140BG34 ,  5F140BG39 ,  5F140BG45 ,  5F140BG50 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH06 ,  5F140BH07 ,  5F140BH14 ,  5F140BH15 ,  5F140BH27 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK02 ,  5F140BK09 ,  5F140BK13 ,  5F140BK18 ,  5F140BK21 ,  5F140BK25 ,  5F140BK29 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CE07 ,  5F140CF04

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-000062   出願人：日本電気株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-276999   出願人：松下電器産業株式会社
• 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-000062   出願人：日本電気株式会社