半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-105518
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076371
出願日： 2001年04月04日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】逆回復特性を良くしつつ、逆漏れ電流の増加を防ぐことができる半導体装置を提供する。【解決手段】ショットキー接合部7の領域のアノード電極1の領域に対する割合Rsch と、セルピッチWと、P<SP>+ </SP>アノード層2の拡散深さXJ の関係を、W<K(Xj /Rsch )を満足させながら、Kの値を5以下とする。このKを1.8以下とする更に効果的である。

請求項（抜粋）：

カソード電極とアノード電極の間に設けられ、前記カソード電極と接触する第一導電型のカソード層と、前記カソード層と前記アノード電極との間に設けられ、前記アノード電極との間でショットキー接合部を形成する、前記カソード層よりも不純物濃度の低い第一導電型のドリフト層と、前記ドリフト層および前記アノード電極に接して設けられ、前記アノード電極との間でオーミック接合部を形成する、前記ドリフト層よりも不純物濃度の高い第二導電型のアノード層とからなる構造単位を複数有する半導体装置において、前記複数の構造単位が設けられるピッチWのうち前記ショットキー接合部のピッチW2を前記アノード層の接合深さXj のK倍より小さく(W2<K・Xj )、且つ、Kを5以下とし、前記ドリフト層の比抵抗ρが6Ω・cm以上、450Ω・cm以下とすることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/861 , H01L 29/872

FI (2件)：

H01L 29/91 C , H01L 29/48 F

Fターム (7件)：

4M104BB01 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD26 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG18

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平3-024767
特開平3-024767
整流ダイオ-ド
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-311193 出願人：新電元工業株式会社

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