特許

J-GLOBAL ID：200903023806143788

整流ダイオ-ド

発明者： 若田部 勝 ,  石田 純一 ,  渋川 昭彦
出願人/特許権者： 新電元工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-311193
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148699
出願日： 1994年11月21日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 本発明はダイオ-ドの諸特性(逆方向電圧、順方向電圧、逆方向回復時間、ピ-ク逆電圧、ソフトリカバリ-等)の改善を図った整流用ダイオ-ドを提供することである。【構成】 N型伝導の高抵抗i層2の表面に深さXpを持つP型伝導のP領域を複数(3-1〜3-3)形成してなる整流性PN接合と、ショットキ-バリア-接合が交互に配列されており、P領域(3-1〜3-3)に接して深さ方向に厚さWiの高抵抗i層2、さらに、低抵抗N+層1の順序に配列された構造を持つシリコン整流ダイオ-ドにおいて、高抵抗i層2が低抵抗N+層1に接した領域に、バッファN層4を形成すると共に、前記深さXpのPN接合を含む領域のキャリア-ライフタイムを最も短くし、前記高抵抗i層2においてPN接合から離れた前記低抵抗N+領域1に至る方向に向かってキャリア-ライフタイムが長くなる分布をしている構造を特徴とする。

請求項（抜粋）：

N型伝導の高抵抗i層の表面に深さXpを持つP型伝導のP領域を複数形成してなる整流性PN接合と、ショットキ-バリア-接合が交互に配列されており、P領域に接して深さ方向に厚さWiの高抵抗i層、さらに、低抵抗N+層の順序に配列された構造を持つシリコン整流ダイオ-ドにおいて、高抵抗i層が低抵抗N+層に接した領域に、バッファN層を形成すると共に、前記深さXpのPN接合を含む領域のキャリア-ライフタイムを最も短くし、前記高抵抗i層においてPN接合から離れた前記低抵抗N+領域に至る方向に向かってキャリア-ライフタイムが長くなる分布をしている構造を特徴とする整流ダイオ-ド。

IPC (2件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/872

FI (3件)：

H01L 29/91 J ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/91 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-335386   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体整流素子およびその使用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-067667   出願人：富士電機株式会社