特許
J-GLOBAL ID：200903006036407038

薄膜圧電体素子、その製造方法およびこれを用いたヘッド支持機構

発明者：
桑島 秀樹

桑島 秀樹 について

, 
松岡 薫

松岡 薫 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-322020
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134807
出願日： 2000年10月20日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：
【要約】【課題】 低い印加電圧によって効率的にヘッドを微小変位させることが可能な薄膜圧電体素子、その製造方法およびこれを用いたヘッド支持機構を提供する。【解決手段】 薄膜圧電体素子の製造方法は、第1基板に第1電極金属膜と第1薄膜圧電体と第2電極金属膜とをこの順番に成膜する第1工程と、第2基板に第3電極金属膜と第2薄膜圧電体と第4電極金属膜とをこの順番に成膜する第2工程と、第2電極金属膜と第4電極金属膜とを接着する第3工程と、第1基板をエッチングで除去する第4工程と、第1電極金属膜と第1薄膜圧電体と第2電極金属膜と第4電極金属膜と第2薄膜圧電体と第3電極金属膜とを、所定の形状に成形加工する第5工程と、第1電極金属膜と第1薄膜圧電体と第2電極金属膜と第4電極金属膜と第2薄膜圧電体と第3電極金属膜とを、コーティング樹脂で覆う第6工程と、第2基板をエッチングで除去する第7工程とを包含する。
請求項（抜粋）：
第1基板に第1電極金属膜と第1薄膜圧電体と第2電極金属膜とをこの順番に成膜する第1工程と、第2基板に第3電極金属膜と第2薄膜圧電体と第4電極金属膜とをこの順番に成膜する第2工程と、該第2電極金属膜と該第4電極金属膜とを接着する第3工程と、該第1基板をエッチングで除去する第4工程と、該第1電極金属膜と該第1薄膜圧電体と該第2電極金属膜と該第4電極金属膜と該第2薄膜圧電体と該第3電極金属膜とを、所定の形状に加工する第5工程と、該第1電極金属膜と該第1薄膜圧電体と該第2電極金属膜と該第4電極金属膜と該第2薄膜圧電体と該第3電極金属膜とを、コーティング樹脂で覆う第6工程と、該第2基板をエッチングで除去する第7工程とを包含する薄膜圧電体素子の製造方法。
IPC (9件)：
H01L 41/22 ,  G11B 5/596 ,  G11B 5/60 ,  G11B 21/02 601 ,  G11B 21/10 ,  G11B 21/21 ,  G11B 21/21 101 ,  H01L 41/083 ,  H01L 41/09
FI (9件)：
G11B 5/596 ,  G11B 5/60 Z ,  G11B 21/02 601 G ,  G11B 21/10 N ,  G11B 21/21 C ,  G11B 21/21 101 Z ,  H01L 41/22 Z ,  H01L 41/08 S ,  H01L 41/08 U
Fターム (17件)：
5D042MA15 ,  5D042TA01 ,  5D042TA02 ,  5D059AA01 ,  5D059BA01 ,  5D059CA08 ,  5D059DA01 ,  5D059DA11 ,  5D059EA02 ,  5D059EA12 ,  5D068AA01 ,  5D068BB01 ,  5D068CC12 ,  5D068EE16 ,  5D068GG03 ,  5D096NN03 ,  5D096NN07
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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