強誘電体薄膜素子およびその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-096307
公開番号（公開出願番号）：特開平7-300397
出願日： 1994年05月10日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：

【要約】【目的】下地基板にMgOやサファイアなどの単結晶を用いることなく結晶軸を揃えることができる強誘電体薄膜素子を実現する。【構成】一の強誘電体薄膜素子は、基板と該基板の上に形成された強誘電体薄膜とからなり、前記基板の室温から前記強誘電体薄膜の形成時の温度までの平均熱膨張係数は70×10<SP>-7</SP>/°C以上であり、前記強誘電体薄膜は<001>方向に強く配向している。また、他の強誘電体薄膜素子は、基板と該基板の上に形成された強誘電体薄膜とからなり、前記基板の室温から前記強誘電体薄膜の形成時の温度までの平均熱膨張係数は50×10<SP>-7</SP>/°C以下であり、前記強誘電体薄膜は<100>方向に強く配向している。

請求項（抜粋）：

基板と該基板の上に形成された強誘電体薄膜とからなり、前記基板の室温から前記強誘電体薄膜の形成時の温度までの平均熱膨張係数は70×10<SP>-7</SP>/°C以上であり、前記強誘電体薄膜は<001>方向に強く配向していることを特徴とする強誘電体薄膜素子。

IPC (6件)：

C30B 29/32 , C01G 23/00 , G01J 5/02 , H01B 3/00 , H01L 37/02 , H01L 41/08

引用特許：

審査官引用 (7件)

誘電体結晶膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-033890 出願人：宇部興産株式会社
強誘電体薄膜構成体およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-308158 出願人：松下電器産業株式会社
機能性薄膜積層体
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-023180 出願人：株式会社リコー, リコー応用電子研究所株式会社

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