特許
J-GLOBAL ID:200903006043649888
機能性薄膜
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
小林 浩 (外5名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-085642
公開番号(公開出願番号):特開2003-277742
出願日: 2002年03月26日
公開日(公表日): 2003年10月02日
要約:
【要約】【課題】 安定性、耐久性、発光輝度、発光効率に優れた有機電界発光素子用材料及び有機電界発光素子を提供すること。【解決手段】 下記一般式(I)で示されるポリアセン誘導体から選ばれる有機電界発光素子用材料により、上記課題を解決する。【化1】[式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、A1及びA2は、それぞれ、同一又は異なって、水素原子、炭化水素基等を表す。nは、1以上の整数を示す。]
請求項(抜粋):
下記一般式(I)で示されるポリアセン誘導体から選ばれる有機電界発光素子用材料。【化1】[式中、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9及びR10は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子;置換基を有していてもよいC1〜C40炭化水素基;置換基を有していてもよいC1〜C40アルコキシ基、置換基を有していてもよいC6〜C40アリールオキシ基;置換基を有していてもよいアミノ基、水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、但し、R6及びR7は、互いに架橋してC4〜C40飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式-N(R11)-で示される基(式中R11は水素原子又は炭化水素基である。)で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよく;A1及びA2は、それぞれ、互いに独立し、同一または異なって、水素原子;ハロゲン原子;置換基を有していてもよいC1〜C40炭化水素基;置換基を有していてもよいC1〜C40アルコキシ基、置換基を有していてもよいC6〜C40アリールオキシ基;置換基を有していてもよいC7〜C40アルキルアリールオキシ基;置換基を有していてもよいC2〜C40アルコキシカルボニル基;置換基を有していてもよいC7〜C40アリールオキシカルボニル基;シアノ基(-CN);カルバモイル基(-C(=O)NH2);ハロホルミル基(-C(=O)-X、式中、Xはハロゲン原子を示す。)ホルミル基(-C(=O)-H);イソシアノ基;イソシアナト基、チオシアナト基又はチオイソシアナト基であり、但し、A1及びA2は、互いに架橋して、式-C(=O)-B-C(=O)-で示される環を形成してもよく(式中、Bは、酸素原子又は式-N(B1)-で示される基(式中、B1は、水素原子、C1〜C40炭化水素基、又は、ハロゲン原子である)である)、nは、1以上の整数である、但し、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、A1及びA2が全て水素原子である場合を除き、R7及びA1がメトキシ基であるか、又は、A2及びR6がメトキシ基である場合を除き、nが1である場合には、少なくともR1、R2、R4及びR9が水素原子以外の基であるか、又は少なくともR3、R5、R8及びR10が水素原子以外の基であり、R3及びR10、又は、R4及びR9が、置換基を有していてもよいアリール基である場合を除き、また、nが2である場合には、上記式(I)は、下記式(Ia)で示されるで示されるペンタセン誘導体であって、【化2】(式中、A1及びA2は、上記の意味を有し、R1、R2、R3、R4、R5a、R5b、R6、R7、R8a、R8b、R9及びR10は、それぞれ互いに独立し、同一または異なって、水素原子;置換基を有していてもよいC1〜C40炭化水素基;置換基を有していてもよいC1〜C40アルコキシ基、置換基を有していてもよいC6〜C40アリールオキシ基;置換基を有していてもよいアミノ基、水酸基又は置換基を有していてもよいシリル基であり、但し、R6及びR7は、互いに架橋してC4〜C40飽和又は不飽和環を形成してもよく、前記飽和又は不飽和環は、酸素原子、硫黄原子、又は式-N(R11)-で示される基(式中、R11は水素原子又は炭化水素基である。)で中断されていてもよく、かつ、置換基を有していてもよい。)R1、R2、R3、R4、R5a、R5b、R6、R7、R8a、R8b、R9、R10、A1及びA2の1つ以上がジアリールアミン基である場合を除く。]
IPC (4件):
C09K 11/06 610
, C09K 11/06 660
, H05B 33/14
, H05B 33/22
FI (5件):
C09K 11/06 610
, C09K 11/06 660
, H05B 33/14 B
, H05B 33/22 B
, H05B 33/22 D
Fターム (4件):
3K007AB02
, 3K007AB03
, 3K007AB11
, 3K007DB03
引用特許:
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