特許
J-GLOBAL ID：200903006047070493

薄膜太陽電池及びヘテロ接合薄膜太陽電池の製造方 法

発明者：
櫛屋 勝巳

櫛屋 勝巳 について

, 
小長井 誠

小長井 誠 について


出願人/特許権者：
昭和シェル石油株式会社

昭和シェル石油株式会社 について


代理人 (1件)： 田中 康博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-278254
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102621
出願日： 1995年10月03日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：
【要約】【課題】 カドミウムを含まない高変換効率でかつ低製造コストのヘテロ接合薄膜太陽電池及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 金属裏面電極層3上のp形の導電形を有しかつ光吸収層として供される第1の多元化合物半導体薄膜4と、n形の導電形を有し窓層として供される禁制帯幅が広くかつ透明で導電性を有する第2の金属酸化物半導体薄膜6との間の界面に、光励起化学的気相成長法(光CVD法)により光透過性で高抵抗の非晶質シリコン半導体薄膜5を界面層(あるいはバッファー層)として成長させる。前記半導体薄膜5はドーパントを含まない真性の非晶質シリコン半導体単膜かまたは、前記真性の非晶質シリコン半導体薄膜とその上に形成されたn形非晶質シリコン半導体薄膜の積層膜からなる。
請求項（抜粋）：
金属裏面電極と、当該裏面電極層上のp形の導電形を有し光吸収層として供される第1の多元化合物半導体薄膜と、前記第1の多元化合物半導体薄膜上のn形の導電形を有し窓層として供される禁制帯幅が広くかつ透明で導電性を有する第2の金属酸化物半導体薄膜と、前記第1の多元化合物半導体薄膜と第2の金属酸化物半導体薄膜の間の界面に、光励起化学的気相成長法(光CVD法)により成長した光透過性で高抵抗の非晶質シリコン半導体薄膜を界面層(あるいはバッファー層)として有する構造からなることを特徴とする薄膜太陽電池。
引用特許：
審査官引用 (6件)
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