特許
J-GLOBAL ID：200903006086523837

半導体装置とその製造方法

発明者：
赤石 由美子

赤石 由美子 について

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鈴木 ▲たく▼也

鈴木 ▲たく▼也 について

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森 真也

森 真也 について

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塚田 雄二

塚田 雄二 について

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渡辺 雄一

渡辺 雄一 について

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菊地 修一

菊地 修一 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-066870
公開番号（公開出願番号）：特開2000-260987
出願日： 1999年03月12日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：
【要約】【課題】 高耐圧化並びにオン抵抗の低減化を図る。【解決手段】 本発明の半導体装置は、ソース領域4、チャネル領域8及びドレイン領域5を有し、更に前記チャネル領域8上にその側壁部が上部に向かうに従って幅狭となるようにパターニングされた、その側壁部がテーパー形状のゲート電極7Aが形成されており、前記チャネル領域8及びドレイン領域5間に少なくとも前記ゲート電極7A下では浅く(第1のドリフト領域22A)、かつ前記ドレイン領域5近傍では深く(第2のドリフト領域22B)形成されたドリフト領域22を有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板のゲート絶縁膜上にその側壁部がテーパー形状にパターニングされたゲート電極と、前記ゲート電極に隣接するように形成された第1導電型ボディー領域と、前記第1導電型ボディー領域内に形成された第2導電型のソース領域並びにチャネル領域と、前記第1導電型ボディー領域と離間された位置に形成された第2導電型のドレイン領域と、前記チャネル領域から前記ドレイン領域にかけて、少なくとも前記ゲート電極下では浅く、かつドレイン領域近傍では深く形成された第2導電型のドリフト領域とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (3件)：
H01L 29/78 301 S ,  H01L 29/78 301 D ,  H01L 29/78 301 Y
Fターム (15件)：
5F040DA14 ,  5F040DA22 ,  5F040EB01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC19 ,  5F040EF02 ,  5F040EF13 ,  5F040EF18 ,  5F040EK01 ,  5F040EM01 ,  5F040FA03 ,  5F040FB02 ,  5F040FC00 ,  5F040FC12 ,  5F040FC17
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (21件)
  • 特開平2-244640
  • 特開平2-244640
  • 横型電界効果トランジスタおよびその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-065746   出願人：富士電機株式会社
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