特許
J-GLOBAL ID：200903006101880684

感光性ポリマーを使用するデュアルダマシン工程による金属配線の形成方法

発明者：
愼 ▲こう▼ 縡

愼 ▲こう▼ 縡 について

, 
金 炳 俊

金 炳 俊 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-330935
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040741
出願日： 1998年11月20日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 多層金属配線層間で生じるキャパシタンスを顕著に低減し得る、感光性ポリマーを使用するデュアルダマシン工程による金属配線の形成方法を提供する。【解決手段】 導電層の形成された半導体基板110上に第1の層間絶縁膜120を形成する。第1の層間絶縁膜上に、第1の幅を有するとともに、第1の層間絶縁膜の上面を露出させる第1の開口部を含む感光性ポリマーパターン130を形成する。感光性ポリマーパターンの上部及び第1の層間絶縁膜の上部に、第2の層間絶縁膜140を形成する。第2の層間絶縁膜上に第1の幅よりも大きい第2の幅を有する上に、第2の層間絶縁膜を露出させる第2の開口部を含むマスクパターンを形成する。マスクパターンを食刻マスクとして第2の層間絶縁膜を乾式蝕刻し、配線領域を形成する。感光性ポリマーパターンを食刻マスクとして第1の層間絶縁膜を乾式蝕刻し、ビアホール領域を形成する。
請求項（抜粋）：
(a)導電層の形成された半導体基板上に第1の層間絶縁膜を形成する段階と、(b)前記第1の層間絶縁膜上に、第1の幅を有するとともに、前記第1の層間絶縁膜の上面を露出させる第1の開口部を含む感光性ポリマーパターンを形成する段階と、(c)前記感光性ポリマーパターンの上部及び前記露出された第1の層間絶縁膜の上部に、第2の層間絶縁膜を形成する段階と、(d)前記第2の層間絶縁膜上に前記第1の開口部に対応するように位置し、前記第1の幅よりも大きい第2の幅を有するに加え、前記第2の層間絶縁膜を露出させる第2の開口部を含むマスクパターンを形成する段階と、(e)前記マスクパターンを食刻マスクとして前記第2の層間絶縁膜を乾式蝕刻し、配線領域を形成する段階と、(f)前記感光性ポリマーパターンを食刻マスクとして前記第1の層間絶縁膜を乾式蝕刻し、ビアホール領域を形成する段階とを含むことを特徴とする金属配線の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  G03F 7/027 ,  H01L 21/3065
FI (3件)：
H01L 21/90 C ,  G03F 7/027 ,  H01L 21/302 L
引用特許：
審査官引用 (4件)
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