特許
J-GLOBAL ID：200903009445503919

半導体装置及びその製造方法及びそれに用いるフォトマスク

発明者：
岡田 紀雄

岡田 紀雄 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-151552
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345875
出願日： 1998年06月01日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の同層間及び異層間の配線間容量を低減する。【解決手段】 第1配線302が形成された第1配線層上に第1層間絶縁膜303を形成する工程と、第1層間絶縁膜303とは異なる膜種にてエッチングストッパー膜304を形成する工程と、第1層間絶縁膜303に形成されるビアに対応する第1パターンと第2配線に対応する第2パターンとの合成パターンにエッチングストッパー膜304をパターニングする工程と、第2配線が形成される第2層間絶縁膜306を形成する工程と、第2層間絶縁膜306を第2パターンにエッチングして第2配線のための配線溝を形成し、更に、第1層間絶縁膜303をパターン状エッチングストッパー膜305をマスクとしてエッチングしてビアを形成する工程と、ビアと配線溝とに選択的に導電性材料を埋設することで第1配線302と接続された第2配線309を形成する工程とを含む。
請求項（抜粋）：
第1の配線が形成された第1の配線層の上に第1の層間絶縁膜を形成する工程と、第1の層間絶縁膜とは異なる膜種にてエッチングストッパー膜を形成する工程と、前記第1の層間絶縁膜に形成されるビアに対応する第1パターンと第2の配線に対応する第2パターンとの合成パターンに前記エッチングストッパー膜をパターニングする工程と、前記第2の配線が形成される第2の層間絶縁膜を形成する工程と、該第2の層間絶縁膜を前記第2パターンにエッチングして前記第2の配線のための配線溝を形成し、更に、前記第1の層間絶縁膜をパターニングされた前記エッチングストッパー膜をマスクとしてエッチングして前記ビアを形成する工程と、該ビアと前記配線溝とに選択的に導電性材料を埋設することで前記第1の配線と接続された前記第2の配線を形成する工程とを含むことを特徴とする、半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 V
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM