特許

J-GLOBAL ID：200903006121852202

カーボンナノウォールの製造方法、カーボンナノウォールおよび製造装置

発明者： 平松 美根男 ,  堀 勝
出願人/特許権者： NUエコ・エンジニアリング株式会社 ,  平松 美根男 ,  堀 勝
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2004012406
公開番号（公開出願番号）：WO2005-021430
出願日： 2004年08月27日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】 カーボンナノウォールを製造する新規な方法およびその方法の実施に適した装置を提供する。【解決手段】 少なくとも炭素を構成元素とする原料ガス32を反応室10に導入する。その反応室10には、第一電極22および第二電極24を含む平行平板型容量結合プラズマ(CCP)発生機構20が設けられている。これによりRF波等の電磁波を照射して、原料ガス32がプラズマ化したプラズマ雰囲気34を形成する。一方、反応室10の外部に設けられたラジカル発生室41において、少なくとも水素を含むラジカル源ガス36をRF波等により分解して水素ラジカル38を生成する。その水素ラジカル38をプラズマ雰囲気34中に注入して、第二電極24上に配置した基板5の表面にカーボンナノウォールを形成する。

請求項（抜粋）：

少なくとも炭素を構成元素とする原料物質がプラズマ化したプラズマ雰囲気を反応室の少なくとも一部に形成するとともに、そのプラズマ雰囲気中に該雰囲気の外部で生成したラジカルを注入して、該反応室中に配置した基材の表面にカーボンナノウォールを形成するカーボンナノウォールの製造方法。

IPC (1件)：

C01B 31/02

FI (1件)：

C01B31/02 101F

Fターム (11件)：

4G146AA07 ,  4G146AB07 ,  4G146BA11 ,  4G146BA38 ,  4G146BA48 ,  4G146BB23 ,  4G146BC08 ,  4G146BC16 ,  4G146BC25 ,  4G146DA03 ,  4G146DA16

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 米国特許出願公開第2003/0129305号明細書
  
• ラジカル制御による薄膜形成および微細加工方法と装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-241017   出願人：名古屋大学長
• 炭素原子による成膜及びエッチング処理方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-257617   出願人：後藤俊夫, 日本レーザ電子株式会社