微細パターン形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：工業技術院産業技術融合領域研究所長
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-054364
公開番号（公開出願番号）：特開平9-236932
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1997年09月09日
要約：

【要約】【課題】電子線を用いるリソグラフィー法により、部分的に異なる耐エッチング性を有する微細パターンを容易に形成することができ、1回のエッチング処理により、2段ステップ加工を行いうる方法を提供する。【解決手段】基板上に、ポリメチルメタクリレートのようなエチレン性不飽和単量体の重合体薄膜を設け、低照射線量の電子線を照射したのち、さらに高照射線量の電子線を照射し、次いでアセトンのような低分子量ケトンを用いて現像する。

請求項（抜粋）：

基板上に、エチレン性不飽和単量体単位の少なくとも1種を繰り返し単位とする重合体又は共重合体から成る電子線感応層を設け、異なった照射量の電子線照射による画像形成処理を行ったのち、低分子量ケトンにより現像処理することを特徴とする部分的に異なる耐エッチング性を有する微細パターン形成方法。

IPC (4件)：

G03F 7/32 , G03F 7/033 , G03F 7/40 521 , H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/32 , G03F 7/033 , G03F 7/40 521 , H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭56-001934
特開昭56-001934
特開昭56-001934

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