特許
J-GLOBAL ID：200903006127374477
ポリテトラフルオロエチレンファインパウダー、それから得られるポリテトラフルオロエチレン成形体およびその製造方法
発明者：
,
,
,
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
朝日奈 宗太 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-234947
公開番号（公開出願番号）：特開2003-048992
出願日： 2001年08月02日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
要約：
【要約】【課題】 3〜30GHzという高周波領域における各種電気特性および機械的特性に優れたポリテトラフルオロエチレン成形体、特に高周波絶縁用のPTFE成形体、該成形体を与え得る押出成形性に優れたPTFEファインパウダーおよびその製造法を提供する。【解決手段】 標準比重が2.180〜2.225であるポリテトラフルオロエチレンファインパウダーをフッ素ラジカル源と接触させて得られる標準比重が2.180〜2.225であるポリテトラフルオロエチレンファインパウダーであって、焼成後、5〜50°C/秒で放冷して得られる前記パウダーからなるフィルムの12GHzにおけるtanδが2.0×10-4以下である。
請求項（抜粋）：
標準比重が2.180〜2.225であるポリテトラフルオロエチレンファインパウダーをフッ素ラジカル源と接触させて得られる標準比重が2.180〜2.225であるポリテトラフルオロエチレンファインパウダーであって、下記条件で作製したサンプルフィルムを用いて、下記方法で測定した12GHzにおけるtanδが2.0×10-4以下である、ポリテトラフルオロエチレンファインパウダー。(サンプルフィルムの作製条件)前記フッ素化PTFEファインパウダーを円柱状に圧縮成形する。この円柱から切出した厚さ0.5mmのフィルムを熱風循環式電気炉で380°Cにて5分間加熱焼成する。ついで直ちに常温(25°C)の大気中に取り出し、5〜50°C/秒で常温にまで放冷してサンプルフィルムを作製する。(tanδ測定方法)ネットワークアナライザーを使用し、空洞共振器により前記作製されたフィルムの共振周波数およびQ値の変化を測定し、12GHzにおけるtanδを次式にしたがって算出する。tanδ=(1/Qu)×{1+(W2/W1)}-(Pc/ωW1)【数1】ただし、式中の記号はつぎのものである。D:空洞共振器直径(mm)M:空洞共振器片側長さ(mm)L:サンプル長さ(mm)c:光速(m/s)Id:減衰量(dB)F0:共振周波数(Hz)F1:共振点からの減衰量が3dBである上側周波数(Hz)F2:共振点からの減衰量が3dBである下側周波数(Hz)ε0:真空の誘電率(H/m)εr:サンプルの比誘電率μ0:真空の透磁率(H/m)Rs:導体空洞の表面粗さも考慮した実効表面抵抗(Ω)J0:-0.402759J1:3.83171
IPC (2件)：
C08J 3/12 CEW
, C08L 27:18
C08J 3/12 CEW Z
, C08L 27:18
4F070AA24
, 4F070AC01
, 4F070AC34
, 4F070AE03
, 4F070BA05
, 4F070BB03
