特許

J-GLOBAL ID：200903006133084693

可撓性フィルム用プラズマCVD装置

発明者： 石川 道夫 ,  伊東 一幸 ,  米崎 武 ,  橋本 征典 ,  戸川 淳 ,  谷 典明 ,  中村 久三
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-162310
公開番号（公開出願番号）：特開平9-324275
出願日： 1996年06月03日
公開日（公表日）： 1997年12月16日
要約：

【要約】【課題】 可撓性フィルム上に膜厚分布の良い薄膜を形成できるプラズマCVD装置を提供する。【解決手段】 プラズマCVD装置2の真空槽5内に平行に対向配置された平板型カソード電極61〜63と平板型ヒーター4との間に可撓性フィルム7を走行させて薄膜を形成する。可撓性フィルム7上に膜厚分布の良い多層膜を形成することが可能となる。可撓性フィルム7を非接触の状態で走行させるとダストや傷の発生がなく、可撓性フィルム7の透明度が低下しないで済み、また、i層形成のために複数のカソード電極を用い、a-Si;H膜の形成速度を低く抑えられるので、アモルファスシリコン太陽電池の製造に適している。

請求項（抜粋）：

真空槽と、該真空槽内に互いに平行に対向配置された平板型カソード電極と平板型ヒーターとを有し、前記平板型カソードに高周波電圧を印加してプラズマを発生させ、前記平板型ヒーターで成膜対象物を加熱しながら表面に薄膜を形成するプラズマCVD装置であって、前記成膜対象物として可撓性フィルムを用い、該可撓性フィルムを前記平板型カソード電極と前記平板型ヒーターとの間を走行できるように構成されたことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (5件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (5件)：

C23C 16/50 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/54 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 V

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体被膜作製装置および薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-069391   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所, ティーディーケイ株式会社
• プラズマCVD法およびプラズマCVD装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-144105   出願人：富士電機株式会社
• 薄膜光電変換素子の製造方法および製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-097429   出願人：富士電機株式会社