特許
J-GLOBAL ID：200903006136318156
炭化ケイ素半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
福田 賢三
, 福田 伸一
, 福田 武通
, 加藤 恭介
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2003012727
公開番号（公開出願番号）：WO2004-036655
出願日： 2003年10月03日
公開日（公表日）： 2004年04月29日
要約：
第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板(1)表面上に形成されている第1伝導型の低濃度炭化ケイ素からなる第1の堆積膜(2)が形成されている。前記第1の堆積膜(2)上に選択的に切り欠かれている第1の領域を有する第2伝導型の高濃度ゲート領域からなる第2の堆積膜(31)と、前記第2の堆積膜(31)上に選択的に切り欠かれている前記第1の領域より幅が広い第2の領域と前記第1伝導型の高濃度ソース領域(5)と第2伝導型の低濃度ゲート領域(11)からなる第3の堆積膜(32)とが形成されている。そして、第1伝導型の低濃度ベース領域(4)は、前記第1の堆積膜(2)に接し、前記第1の領域および第2の領域に形成されている。その結果、低いオン抵抗、且つ高耐圧の炭化ケイ素縦型MOSFETを実現する
請求項（抜粋）：
第1伝導型の高濃度炭化ケイ素基板(1)表面上に形成されている第1伝導型の低濃度炭化ケイ素からなる第1の堆積膜(2)と、
前記第1の堆積膜(2)上に選択的に切り欠かれている第1の領域を有する第2伝導型の高濃度ゲート領域からなる第2の堆積膜(31)と、
前記第2の堆積膜(31)上に選択的に切り欠かれている前記第1の領域より幅が広い第2の領域と第1伝導型の高濃度ソース領域(5)と第2伝導型の低濃度ゲート領域からなる第3の堆積膜(32)と、
前記第1の堆積膜(2)に接し、前記第1の領域および第2の領域に形成されている第1伝導型の低濃度ベース領域(4)と、
少なくとも前記第3の堆積膜(32)の表面上に形成されたゲート絶縁膜(6)と、
前記ゲート絶縁膜(6)を介して形成されたゲート電極(7)と、
前記第1伝導型の炭化ケイ素基板の裏面に低抵抗接続されたドレイン電極(10)と、
前記第1伝導型の高濃度ソース領域(5)および第2伝導型の低濃度ゲート領域(32)の一部に低抵抗接続されているソース電極(9)と、
からなることを特徴とする炭化ケイ素半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 29/12
, H01L 21/336
H01L29/78 652T
, H01L29/78 652D
, H01L29/78 652E
, H01L29/78 652H
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 658A
