特許
J-GLOBAL ID：200903006167974043
電磁界分布シミュレーション装置および方法
出願人/特許権者：
大和製罐株式会社
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大和製罐株式会社 について
代理人 (3件)： 澤田 俊夫 , 宮田 正昭 , 山田 英治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-270287
公開番号（公開出願番号）：特開2007-078634
出願日： 2005年09月16日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：
【課題】 損失誘電体や損失磁性体を伴う環境における電磁界分布を高精度かつ低計算コストでシミュレーションする。 【解決手段】 入力部11により境界条件等のパラメータを入力する。電磁界方程式は時間分離解法を適用して移流項および非移流項に分けて処理する。移流項処理部13により電磁界方程式の移流項にCIP法および特性曲線法を適用し、時間変化の中間値の数値解を得る。非移流項処理部14により、移流項処理部13の数値解を二次中央差分法の離散化式に代入して1タイムステップ進んだ数値解を得る。希望時間となるまで時間ステップを繰り返す。希望時間となったら出力部15を用いて数値解析結果を表示ないしプリントする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複素比誘電率および/または複素比透磁率を考慮した電磁界方程式から導出した移流項の方程式をCIP法によりシミュレーションする第1のシミュレーション手段と、
上記電磁界方程式から導出した非移流項の方程式をシミュレーションする第2のシミュレーション手段とを有し、
上記第1のシミュレーション手段の算出結果と第2のシミュレーション手段の算出結果から上記電磁界方程式のシミュレーションを行なうことを特徴とする電磁界分布シミュレーション装置。
IPC (3件)：
FI (3件)：
Fターム (1件)：
引用特許：
出願人引用 (4件)
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電磁場シミュレーション法、その装置及びその記録媒体
公報種別：公開公報 出願番号：特願2001-340646 出願人：オリンパス光学工業株式会社 -
連続体の数値解析方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願2003-418141 出願人：京セラ株式会社 -
電磁環境解析方法、電磁環境解析プログラム及びそのプログラムを記録した記録媒体
公報種別：公開公報 出願番号：特願2002-197574 出願人：科学技術振興事業団
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