高電圧MOSトランジスタ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-054885
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314077
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】高いブレークダウン電圧とドレイン中の特定の低いON抵抗とを有する高電圧MOSトランジスタを提供すること。【解決手段】高電圧MOSトランジスタを有する集積回路において、高電圧MOSトランジスタは、半導体領域におけるボディと、ボディ上のゲートと、半導体領域中に形成されたドレインおよびソースであって、第1の濃度のドーパント、第1の深さおよび第1の曲率半径とを有する第1のドレイン領域と、第1の濃度のドーパントよりも低い第2の濃度のドーパント、第1の深さよりも大きい第2の深さ、および第1の曲率半径よりも大きな第2の曲率半径を有する第2のドレイン領域と、第2の領域から上記ゲートへと伸びる第3のドレイン領域であって、ゲートは、第2の濃度のドーパントよりも低い第3の濃度のドーパントおよび第2の曲率半径よりも小さな第3の曲率半径を有する、第3のドレイン領域と、を含むドレインと、を備える。

請求項（抜粋）：

高電圧MOSトランジスタを有する集積回路であって、該高電圧MOSトランジスタは、半導体領域におけるボディと、該ボディ上のゲートと、該半導体領域中に形成されたドレインおよびソースであって、第1の濃度のドーパント、第1の深さおよび第1の曲率半径とを有する第1のドレイン領域と、該第1の濃度のドーパントよりも低い第2の濃度のドーパント、該第1の深さよりも大きい第2の深さ、および該第1の曲率半径よりも大きな第2の曲率半径を有する第2のドレイン領域と、該第2の領域から該ゲートへと伸びる第3のドレイン領域であって、該ゲートは、該第2の濃度のドーパントよりも低い第3の濃度のドーパントおよび該第2の曲率半径よりも小さな第3の曲率半径を有する、第3のドレイン領域と、を含む該ドレインと、を備える、高電圧MOSトランジスタを有する集積回路。

IPC (5件)：

H01L 29/78 , H01L 21/8234 , H01L 21/8249 , H01L 27/06 , H01L 27/088

FI (3件)：

H01L 29/78 301 S , H01L 27/06 321 A , H01L 27/08 102 B

Fターム (50件)：

5F048AA05 , 5F048AA09 , 5F048AC01 , 5F048AC06 , 5F048AC07 , 5F048BA01 , 5F048BB01 , 5F048BC01 , 5F048BC03 , 5F048BC05 , 5F048BC06 , 5F048BE02 , 5F048BG12 , 5F048CA03 , 5F048DA07 , 5F048DA13 , 5F140AA25 , 5F140AA30 , 5F140AB01 , 5F140AB03 , 5F140AB07 , 5F140AC01 , 5F140AC21 , 5F140BC06 , 5F140BE03 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF11 , 5F140BF18 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG37 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH13 , 5F140BH14 , 5F140BH15 , 5F140BH18 , 5F140BH19 , 5F140BH30 , 5F140BH43 , 5F140BJ05 , 5F140BK10 , 5F140BK13 , 5F140BK20 , 5F140BK22 , 5F140BK26 , 5F140CB01 , 5F140CB08 , 5F140CC07

引用特許：

審査官引用 (7件)

DMOS FET
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-189230 出願人：横河電機株式会社
高電圧半導体構造及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-087577 出願人：シリコニックス・インコーポレイテッド
特開平1-264262

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