基板熱処理方法およびその装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉谷勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-208124
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040698
出願日： 1998年07月23日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】誘電率の低い所定の膜を形成することができる基板熱処理方法及びその装置を提供する。【解決手段】チャンバ内に搬入された基板を、加熱プレートから離間する保持位置で保持した状態で、チャンバ内に窒素ガスを導入する(S1〜S3)。チャンバ内が窒素ガスで置換されて低酸素濃度雰囲気になると、保持位置で保持される基板を加熱位置にまで移動させて、加熱プレートによって加熱する(S4)。加熱が終了すると、基板を加熱位置から保持位置にまで移動させて、保持位置で保持した状態の基板を冷却プレートによって冷却する(S5〜S6)。冷却が終了すると、チャンバを開放して基板を搬出する(S7〜S8)。したがって、基板が所定の温度以上に加熱される際には、基板の周囲の雰囲気を常に低酸素濃度雰囲気にしているので、誘電率の低い所定の膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

塗布液が塗布された基板を比較的酸素濃度の低い低酸素濃度雰囲気で熱処理することにより、前記基板上に所定の膜を形成する基板熱処理方法において、チャンバ内に搬入された基板を、前記チャンバ内に配備された基板加熱手段から離間した位置で保持する過程と、前記基板を前記離間位置で保持したままの状態で、前記チャンバ内に不活性ガスを導入して、前記チャンバ内を低酸素濃度雰囲気にする過程と、前記チャンバ内を不活性ガスで置換した後に、基板加熱手段で基板を加熱するための加熱位置に前記基板を移動する過程と、前記加熱位置に移動した基板を前記基板加熱手段で加熱する過程とを備えることを特徴とする基板熱処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/31 , H01L 21/316

FI (2件)：

H01L 21/31 A , H01L 21/316 Z

Fターム (15件)：

5F045AA03 , 5F045AB32 , 5F045AB39 , 5F045CB05 , 5F045EE14 , 5F045EJ02 , 5F045EN04 , 5F058AC02 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058BC05 , 5F058BF46 , 5F058BG04 , 5F058BH01 , 5F058BJ01

引用特許：

出願人引用 (4件)

スピン・オン・グラス塗布装置及びその塗布方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-329882 出願人：沖電気工業株式会社
被処理物用被膜焼き付け処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-352572 出願人：東京応化工業株式会社
特開平3-053076

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