特許
J-GLOBAL ID：200903006193866585

薄膜トランジスタ装置、その製造方法、及び表示装置

発明者：
西浦 篤徳

西浦 篤徳 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-125239
公開番号（公開出願番号）：特開2008-218960
出願日： 2007年05月10日
公開日（公表日）： 2008年09月18日
要約：
【課題】良好なソース・ドレインコンタクト及び保持容量部の容量安定化、ソース・ドレイン間のリーク低減、ゲート絶縁膜の耐圧向上、コンタクト抵抗の低抵抗化ができる薄膜トランジスタ装置、その製造方法、及び薄膜トランジスタ装置を有する表示装置を提供すること。【解決手段】本発明にかかる薄膜トランジスタ装置は、基板上の所定領域に形成されたソース領域及びドレイン領域並びにチャネル領域を有する半導体層と、半導体層上に形成された金属膜と、金属膜上及び半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート電極と、層間絶縁膜と、配線電極とを有し、金属膜は、半導体層のソース領域及びドレイン領域上であって、少なくともコンタクトホールの底部となる領域に形成され、金属膜が形成されていない領域の半導体層の膜厚は、金属膜が形成された半導体層の膜厚より薄いことを特徴とする。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
基板上に形成されたソース領域及びドレイン領域並びにチャネル領域を有する半導体層と、 前記半導体層上の所定領域に形成された金属膜と、 前記金属膜上及び前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極上及び前記ゲート絶縁膜上に形成された層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜上に形成され、コンタクトホールを介して前記金属膜に接続される配線電極とを有し、 前記金属膜は、前記半導体層のソース領域及びドレイン領域上であって、少なくとも前記コンタクトホールの底部となる領域に形成され、前記金属膜が形成されていない領域の前記半導体層の膜厚は、前記金属膜が形成された前記半導体層の膜厚より薄い薄膜トランジスタ装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/136
FI (4件)：
H01L29/78 618D ,  H01L29/78 616T ,  H01L29/78 612C ,  G02F1/1368
Fターム (56件)：
2H092GA29 ,  2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA33 ,  2H092JA34 ,  2H092JA46 ,  2H092JA47 ,  2H092JA48 ,  2H092JB69 ,  2H092KA05 ,  2H092KA12 ,  2H092KA22 ,  2H092KA24 ,  2H092KB14 ,  2H092KB25 ,  2H092MA05 ,  2H092MA17 ,  2H092NA22 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  2H092PA06 ,  5F110AA03 ,  5F110AA06 ,  5F110AA12 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG22 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ13 ,  5F110HK01 ,  5F110HK04 ,  5F110HK05 ,  5F110HK21 ,  5F110HK33 ,  5F110HK50 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110HM02 ,  5F110HM17 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN35 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ11
引用特許：
出願人引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM