液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：深見久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-080241
公開番号（公開出願番号）：特開2001-264813
出願日： 2000年03月22日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
要約：

【要約】【課題】多結晶体シリコン膜と確実にコンタクトをとることができるコンタクトホールを開口できる、高表示品位の液晶表示装置とその製造方法を提供する。【解決手段】第1のエッチング条件によって層間絶縁膜を開口する第1開口工程と、第2のエッチング条件によって半導体層を露出させる第2開口工程とを有し、第1のエッチング条件では、第2のエッチング条件よりも層間絶縁膜を開口するエッチング速度が大きく、第2のエッチング条件では、ゲート絶縁膜の半導体層に対するエッチング選択比が第1のエッチング条件よりも大きい。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)を含む駆動回路一体型の液晶表示装置の製造方法であって、ソース、ドレイン領域とチャネル領域とを有する前記TFTの半導体層を基板の上に形成する工程と、前記半導体層および基板の上を覆うゲート絶縁膜を形成する工程と、前記チャネル領域の上方の前記ゲート絶縁膜に接する部分にゲート電極を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜を形成する工程と、前記ソース、ドレイン領域の上の前記層間絶縁膜および前記ゲート絶縁膜に当該ソース、ドレイン領域に達するコンタクトホールを開口する工程とを備え、前記コンタクトホールを開口する工程は、第1のエッチング条件によって前記層間絶縁膜を実質的に開口する第1開口工程と、第2のエッチング条件によって前記半導体層を前記コンタクトホール底部に実質的に露出させる第2開口工程とを有し、前記第1のエッチング条件では、前記第2のエッチング条件よりもエッチング速度が大きく、前記第2のエッチング条件では、前記半導体層の上に接する絶縁膜の前記半導体層に対するエッチング選択比が前記第1のエッチング条件よりも大きい、液晶表示装置の製造方法。

IPC (7件)：

G02F 1/1368 , G09F 9/30 338 , H01L 21/28 , H01L 21/3065 , H01L 21/768 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (10件)：

G09F 9/30 338 , H01L 21/28 L , G02F 1/136 500 , H01L 21/302 M , H01L 21/90 A , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 616 K , H01L 29/78 616 T , H01L 29/78 618 D , H01L 29/78 627 C

Fターム (144件)：

2H092GA59 , 2H092JA25 , 2H092JA35 , 2H092JA40 , 2H092JA46 , 2H092JB56 , 2H092KA04 , 2H092KA10 , 2H092KB25 , 2H092MA08 , 2H092MA15 , 2H092MA18 , 2H092MA27 , 2H092MA30 , 2H092MA35 , 2H092NA13 , 2H092NA29 , 4M104AA01 , 4M104AA08 , 4M104AA09 , 4M104AA10 , 4M104BB04 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD08 , 4M104DD12 , 4M104DD22 , 4M104DD23 , 4M104DD37 , 4M104FF07 , 4M104FF16 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104FF27 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104GG20 , 4M104HH15 , 5C094AA42 , 5C094AA44 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094CA24 , 5C094DA14 , 5C094DA15 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094EB02 , 5C094ED03 , 5C094FB12 , 5C094FB15 , 5C094GB10 , 5F004AA05 , 5F004CA01 , 5F004DA01 , 5F004DA16 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DA30 , 5F004DB03 , 5F004DB07 , 5F004EA10 , 5F004EA28 , 5F004EB01 , 5F004EB03 , 5F004FA08 , 5F033GG04 , 5F033JJ01 , 5F033JJ07 , 5F033JJ09 , 5F033KK01 , 5F033KK07 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN13 , 5F033NN16 , 5F033PP15 , 5F033QQ11 , 5F033QQ15 , 5F033QQ23 , 5F033QQ24 , 5F033QQ25 , 5F033QQ34 , 5F033QQ37 , 5F033QQ72 , 5F033QQ74 , 5F033QQ89 , 5F033QQ92 , 5F033QQ94 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033SS04 , 5F033SS15 , 5F033VV15 , 5F033XX07 , 5F033XX09 , 5F033XX24 , 5F110AA02 , 5F110AA06 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110BB04 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE04 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG22 , 5F110GG25 , 5F110GG26 , 5F110GG45 , 5F110GG58 , 5F110HJ01 , 5F110HJ04 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL12 , 5F110HL14 , 5F110HL23 , 5F110HM02 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN35 , 5F110NN72 , 5F110PP03 , 5F110QQ04 , 5F110QQ05 , 5F110QQ11 , 5F110QQ25

引用特許：

出願人引用 (3件)

薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-199579 出願人：シャープ株式会社
液晶表示装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-316969 出願人：セイコーエプソン株式会社
薄膜トランジスタおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-047874 出願人：日本電気株式会社

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