特許
J-GLOBAL ID：200903006194699186
電力変換器およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-054711
公開番号（公開出願番号）：特開平10-309073
出願日： 1998年03月06日
公開日（公表日）： 1998年11月17日
要約：
【要約】【課題】半導体スイッチング素子を用いた電力変換器において、配線導体に存在するインダクタンスを低減する。【解決手段】回路構成部品を接続する第1の導体1と、第2の導体2とを備え、第1の導体1の板厚方向に対する投影面と少なくとも一部で重なる部分と、重ならない部分ができるように第2の導体2を、第1の導体1の一部あるいは全区間である一定距離をおいて近接配置し、さらに第2の導体2の少なくとも一点を第1の導体1と電気的に接続する。【効果】第2の導体2に誘導電流を生じさせ、第1の導体1の磁束を打ち消すことで、第1の導体1の配線インダクタンスを低減し、半導体スイッチング素子のターンオフ時のサージ電圧を軽減するとともに、低損失の電力変換器を提供する。
請求項（抜粋）：
半導体スイッチング素子により負荷電流を制御する電力変換器において、前記半導体スイッチング素子を通電または遮断する制御に伴い電流変化を生じる第1の導体に近接して、前記第1の導体の電流変化に応じて誘導電流を生じる第2の導体を、近接配置する配線を備えることを特徴とする電力変換器。
IPC (3件)：
H02M 1/00
, H02M 7/04
, H02M 7/48
H02M 1/00 F
, H02M 7/04 D
, H02M 7/48 Q
