特許
J-GLOBAL ID：200903006215855337
同時読み出し及び書き込みを可能にする不揮発性メモリのバンク構成
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-528739
公開番号（公開出願番号）：特表2000-509871
出願日： 1997年11月13日
公開日（公表日）： 2000年08月02日
要約：
【要約】フラッシュメモリ装置は2個以上のバンクに分割されており、各バンクは幾つかのセクタを含み、各セクタは1組のフラッシュメモリセルを含んでいる。各バンクは、入力アドレスバッファからのアドレス又は内部ステートマシーンによって制御される内部アドレスシーケンサからのアドレスを選択的に受信するデコーダを有している。各バンクの出力データは、読み出し用センスアンプ又はベリファイ用センスアンプに入力され得る。ベリファイ用センスアンプが内部ステートマシーンに接続されている間、読み出し用センスアンプは出力バッファに接続される。1つのバンクが書き込みコマンドを受信すると、内部ステートマシーンが制御を行い、プログラミング又は消去動作が開始される。1つのバンクに対してプログラミング又は消去動作が行われている間、他のバンクに対して読み出し動作のためのアクセスを行うことができる。
請求項（抜粋）：
同時読み出し及び書き込みを可能にするフラッシュメモリであって、 第1のアドレスを受信するアドレス入力と、 第2のアドレスを生成する制御ロジックと、 第1のバンクのメモリセルと、 第2のバンクのメモリセルと、 前記第1のアドレス及び前記第2のアドレスを受信し、前記第1のアドレス又は前記第2のアドレスを選択的に用いて、前記第1の組のフラッシュメモリセルをアクセスする第1のデコーダロジックと、 前記第1のアドレス及び前記第2のアドレスを受信し、前記第1のアドレス又は前記第2のアドレスを選択的に用いて、前記第2の組のフラッシュメモリセルをアクセスする第2のデコーダロジックとを具備する、フラッシュメモリ。
引用特許：
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