固体撮像装置とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-074391
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274461
出願日： 1998年03月23日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 MOS型固体撮像装置のセンサー部の表面に高不純物濃度層が形成される構成とするとき、その読み出し絶縁ゲートトランジスタへの読み出しの印加電圧が高くなり、またセンサー部の信号電荷の読み出しが不完全となる。【解決手段】半導体基板に、光電変換素子が構成されたセンサー部と電荷読み出しの絶縁ゲートトランジスタとを有する複数の単位画素部が配列形成された構成において、そのセンサー部Sが、第1導電型の半導体領域1と、この上に形成された第2導電型の第1半導体領域2と、この半導体領域2の表面に形成された第1導電型の高不純物濃度層6とを有して成る光電変換素子が形成されて成り、絶縁ゲートトランジスタは、センサー部と所要の距離を隔てて形成された第2導電型の第2半導体領域3との間に絶縁ゲート部が形成されて成る。そして、そのセンサー部における高不純物濃度層6が、第2導電型の第1半導体領域の表面において、絶縁ゲート部と隣接する部分を除く部分に限定的に形成された構成とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板に、光電変換素子が構成されたセンサー部と該センサー部から電荷を読み出す絶縁ゲートトランジスタとを有する複数の単位画素が配列形成され、上記センサー部は、第1導電型の半導体領域と、この上に形成された第2導電型の第1半導体領域と、この半導体領域の表面に形成された第1導電型の高不純物濃度層とを有して成る光電変換素子が形成されて成り、上記絶縁ゲートトランジスタは、上記第2導電型の第1半導体領域と所要の距離を隔てて形成された第2導電型の第2半導体領域との間に絶縁ゲート部が形成されて成り、上記センサー部の上記高不純物濃度層は、上記第2導電型の第1半導体領域の表面の、上記絶縁ゲート部と隣接する部分を除く部分に限定的に形成されて成ることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L 27/146 , H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 A , H04N 5/335 E

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭53-086516
特開平2-271571
半導体イメージ・センサおよびその方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-322993 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド

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