半導体イメージ・センサおよびその方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大貫進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-322993
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233749
出願日： 1998年11月13日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】イメージ・センサ10を提供する。【解決手段】イメージ・センサ10は、N型導通領域26と、P型ピン型層37とを含むイメージ検出素子を有する。これら2つの領域は、異なる深さで2つのPN接合部を形成し、これが異なる光の周波数における電荷キャリア捕集の効率を向上させる。導通領域26は、導通領域26の一部がMOSトランジスタ32のソースとして機能できるようにする角度付き注入によって形成される。

請求項（抜粋）：

イメージ・センサを形成する方法であって:第1導電型の半導体基板を設ける段階;前記基板の上にエンハンスメント層(12)を形成する段階であって、前記エンハンスメント層は、前記第1導電型および第1ドーピング濃度を有する、段階;前記エンハンスメント層の第1部分の上に第1ウェル(16)を形成する段階であって、前記第1ウェルは、前記第1導電型および前記第1ドーピング濃度よりも大きい第2ドーピング濃度を有し、前記第1ウェルは、前記エンハンスメント層内への第1深さ(24)を有する、段階;前記エンハンスメント層(12)の第2部分に第2導電型の導通領域(26)を形成する段階であって、前記導通領域の第1部分は、MOSトランジスタ(32)の一部を形成する、段階;およびピン型層の第1部分を前記導通領域内に形成し、かつ前記MOSトランジスタ(32)から離れる方向へ前記導通領域(26)から横方向に延在するピン型層の第2部分を形成することにより、前記エンハンスメント層(12)の第2領域に前記第1導電型のピン型層(37)を形成する段階;によって構成されることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

H01L 27/146 , H01L 21/265 , H01L 31/10

FI (3件)：

H01L 27/14 A , H01L 21/265 604 V , H01L 31/10 A

引用特許：

審査官引用 (12件)

ピン光ダイオード集積能動画素センサー
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-088326 出願人：イーストマンコダックカンパニー
固体撮像装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-173164 出願人：ソニー株式会社
固体撮像装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-304570 出願人：株式会社日立製作所

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