特許
J-GLOBAL ID：200903006245863946

GaN系半導体集積回路

発明者：
吉田 清輝

吉田 清輝 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-286124
公開番号（公開出願番号）：特開2006-100645
出願日： 2004年09月30日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：
【課題】 小型化が可能で、発熱量の少ない大電力用途の半導体集積回路を提供する。【解決手段】 種類が互いに異なる複数のGaN系半導体素子を一つの基板上に集積したGaN系半導体集積回路において、前記GaN系半導体素子には、ショットキーダイオード及び電界効果トランジスタが含まれ、該ショットキーダイオードを構成する所定の幅を有するGaN系半導体層上に、前記所定の幅よりも狭い幅でショットキー接合する第1アノード電極と、前記第1アノード電極に接触する部分以外の前記GaN系窒化物半導体層上にショットキー接合すると共に前記第1アノード電極に電気的に接続する第2アノード電極とを備え、前記第1アノード電極と前記GaN系半導体層との間で形成されるショットキーバリアの高さが前記第2アノード電極と前記GaN系半導体層との間で形成されるショットキーバリアの高さよりも低いことを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
種類が互いに異なる複数のGaN系半導体素子を一つの基板上に集積したGaN系半導体集積回路において、前記GaN系半導体素子には、ショットキーダイオード及び電界効果トランジスタが含まれ、該ショットキーダイオードは前記GaN系半導体層上に、前記GaN系半導体層の幅よりも狭い幅でショットキー接合する第1アノード電極と、前記第1アノード電極に接触する部分以外の前記GaN系窒化物半導体層上にショットキー接合すると共に前記第1アノード電極に電気的に接続する第2アノード電極とを備え、前記第1アノード電極と前記GaN系半導体層との間で形成されるショットキーバリアの高さが前記第2アノード電極と前記GaN系半導体層との間で形成されるショットキーバリアの高さよりも低いことを特徴とするGaN系半導体集積回路。
IPC (10件)：
H01L 27/095 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/739 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/749 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/47
FI (8件)：
H01L29/80 E ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 655Z ,  H01L29/78 656B ,  H01L27/04 F ,  H01L29/74 601Z ,  H01L29/74 G ,  H01L29/48 D
Fターム (34件)：
4M104AA04 ,  4M104BB06 ,  4M104BB14 ,  4M104BB27 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104FF13 ,  4M104GG03 ,  4M104GG12 ,  4M104HH17 ,  5F005CA01 ,  5F005CA05 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ01 ,  5F038EZ02 ,  5F038EZ20 ,  5F102FA00 ,  5F102GA14 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15
引用特許：
審査官引用 (2件)

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