特許

J-GLOBAL ID：200903006250670455

窒化物半導体デバイス及びその製造方法

発明者： 平野 光 ,  シリル ペルノー ,  天野 浩 ,  赤崎 勇 ,  田村 至
出願人/特許権者： 大阪瓦斯株式会社
代理人 (1件)： 北村 修一郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-101217
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294824
出願日： 1999年04月08日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：

【要約】【課題】 p-Alx Ga1-x N層に良好なオーミック接触の電極を形成可能な半導体素子構造を有する窒化物半導体デバイス、受光素子、火炎センサを提供する。【解決手段】 p-Alx Ga1-x N層(x>0)からなるp型半導体層1を有し、p型半導体層1は、その表面近傍部分に、表面近傍部分の下層側より不純物濃度が高く、その不純物としてBeを少なくとも含む高不純物濃度層7を形成してなり、その高不純物濃度層7の表面に金属電極8が形成されている。また、更に好ましくは、高不純物濃度層7の不純物濃度が1018cm-3以上である。

請求項（抜粋）：

p-Alx Ga1-x N層(x>0)からなるp型半導体層を含む窒化物半導体デバイスであって、前記p型半導体層は、その表面近傍部分に、前記表面近傍部分の下層側より不純物濃度が高く、その不純物としてBeを少なくとも含む高不純物濃度層を形成してなり、その高不純物濃度層表面に金属電極が形成されていることを特徴とする窒化物半導体デバイス。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 31/0248

FI (3件)：

H01L 31/10 A ,  H01L 21/28 301 G ,  H01L 31/08 H

Fターム (45件)：

4M104AA04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104DD79 ,  4M104GG05 ,  4M104HH15 ,  5F049MA02 ,  5F049MA04 ,  5F049MA12 ,  5F049MA14 ,  5F049MA20 ,  5F049MB07 ,  5F049MB12 ,  5F049NA01 ,  5F049NA12 ,  5F049NB07 ,  5F049PA03 ,  5F049PA04 ,  5F049PA09 ,  5F049PA10 ,  5F049PA11 ,  5F049QA18 ,  5F049SE05 ,  5F049SE12 ,  5F049SS01 ,  5F049WA05 ,  5F088AA02 ,  5F088AA03 ,  5F088AA08 ,  5F088AA09 ,  5F088AA11 ,  5F088AB07 ,  5F088AB17 ,  5F088BB06 ,  5F088CB09 ,  5F088CB10 ,  5F088CB11 ,  5F088FA05 ,  5F088GA02 ,  5F088LA05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 火炎センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-096385   出願人：大阪瓦斯株式会社
• 短波長光の検出方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-350343   出願人：三菱電線工業株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-202476   出願人：ローム株式会社