特許
J-GLOBAL ID：200903091336176035
短波長光の検出方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤本 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-350343
公開番号（公開出願番号）：特開平9-181350
出願日： 1995年12月21日
公開日（公表日）： 1997年07月11日
要約：
【要約】【課題】 軽量性や小型性や携帯性に優れるコンパクトな検出装置を容易に形成できる、波長200〜500nm等の短波長域の光の検出方法を得ること。【解決手段】 基板(1)上にpn接合を有するGaN系半導体層(3,4)を有し、そのp型及びn型の半導体層の少なくとも一方がGaN又は一般式:In<SB>x</SB>Ga<SB>y</SB>Al<SB>1-x-y</SB>N(ただし、0<x≦1、0≦y≦1)で表される半導体層からなる受光素子を介して短波長域の光を検出する短波長光の検出方法。【効果】 短波長域の光を高感度に、かつ感度の均一性よく検出でき、化学的に安定で熱や気候等の耐環境性にも優れるコンパクトなセンサが容易に得られる。
請求項（抜粋）：
基板上にpn接合を有するGaN系半導体層を有し、そのp型及びn型の半導体層の少なくとも一方がGaN又は一般式:In<SB>x</SB>Ga<SB>y</SB>Al<SB>1-x-y</SB>N(ただし、0<x≦1、0≦y≦1)で表される半導体層からなる受光素子を介して短波長域の光を検出することを特徴とする短波長光の検出方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 A
, G01J 1/02 G
