半田リフロー方法およびその装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村純之助 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-278478
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121920
出願日： 1997年10月13日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】【課題】半田リフロー時に、フラックスを使用することなく、基板の半田接合位置の上方の開空間において、簡易に半田リフローに適した不活性ガス雰囲気を実現できる半田リフロー方法およびピックアップや真空排気系等を必要としない、簡易で安価な半田リフロー装置を提案し、ハイブリッド集積モジュールの作製の低コスト化、量産化を図る。【解決手段】一つもしくは複数の光素子または電子素子を、同一基板上に固定し、ハイブリッド集積した光モジュールを作製する際の半田リフロー工程であって、基板上の開空間において、基板上の素子群の半田接合位置の上方から、半田接合位置を包含する大きさの開口部を有する1個もしくは複数のノズルを用いて、不活性ガスを周囲の大気を巻き込まない速さで放出し、半田接合位置を不活性ガス雰囲気に置換して半田接合を行う半田リフロー方法およびその装置とする。

請求項（抜粋）：

半田を用いて、一つもしくは複数の光素子または電子素子を、光導波路を有する同一基板上に固定し、ハイブリッド集積した光モジュールを作製する際の半田リフロー工程であって、該半田リフロー工程は、上記基板上の開空間において、上記基板と上記光素子または電子素子の半田接合位置の上方から、該半田接合位置を包含する大きさの開口部を有する1個もしくは複数のノズルを用いて、不活性ガスを周囲の大気を巻き込まない速さで放出し、上記半田接合位置を不活性ガス雰囲気に置換して半田接合を行うことを特徴とする半田リフロー方法。

IPC (3件)：

H05K 3/34 507 , H01S 3/10 , H01S 3/18

FI (3件)：

H05K 3/34 507 G , H01S 3/10 Z , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

光素子固定方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-205493 出願人：日本電信電話株式会社
半田リフロー炉
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-095054 出願人：松下電器産業株式会社
はんだ付け方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-007829 出願人：日本酸素株式会社

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