特許
J-GLOBAL ID：200903006290917054

薄膜トランジスタ装置及び薄膜トランジスタ装置の製造方法

発明者：
福田 加一

福田 加一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-241474
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077665
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 島状に分離形成される半導体層の周囲端部の特性ばらつきによるTFTのしきい値電圧への影響を低減し、しきい値電圧の再現性を向上し、良好な駆動特性を有するTFTを得て、駆動回路一体型の液晶表示装置の画素電極基板への適用を図る。【解決手段】 絶縁基板13上にて島状にエッチング加工される第1及び第2の半導体層16、17のテーパー状の周囲端部16t、17tにイオンドーピングを行い、非晶質化する事により周囲端部16t、17tの電流駆動能力を劣化させ、しきい値電圧への影響を低減する。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に島状に分離形成されチャネル領域を挟みソース・ドレイン領域が形成されるシリコン(Si)を主成分とする半導体層を有する薄膜トランジスタ装置において、前記半導体層の外周領域の電流駆動能力が、前記半導体層の内部領域の電流駆動能力に比し低いことを特徴とする薄膜トランジスタ装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
H01L 29/78 619 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 627 C
Fターム (23件)：
2H092GA16 ,  2H092JA24 ,  2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA35 ,  2H092JA43 ,  2H092JA46 ,  2H092JB44 ,  2H092JB56 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA12 ,  2H092KA18 ,  2H092KB04 ,  2H092KB21 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092MA41 ,  2H092NA13 ,  2H092NA24
引用特許：
審査官引用 (2件)

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