特許
J-GLOBAL ID：200903016366983251
薄膜トランジスタ、その製造方法及び表示装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-311442
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330599
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【課題】 チャンネル層となる半導体薄膜のエッジ部をテーパ加工してゲート電極の断線を防止しつつ薄膜トランジスタのサブスレッショルド特性の低下を回避できる薄膜トランジスタを提供することを目的とする。【解決手段】 絶縁性基板9上に形成したpoly-Si膜1にチャンネル部1aとソース部1bとドレイン部1cとを形成し、前記チャンネル部1a上にゲート絶縁膜2を介してゲート電極3を形成して成る薄膜トランジスタであり、前記poly-Si1の少なくともチャンネル部1aのエッジ部に絶縁性傾斜部を形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に形成した半導体薄膜にチャンネル部とソース部とドレイン部とを形成し、前記チャンネル部上に絶縁膜を介してゲート電極を形成して成る薄膜トランジスタにおいて、前記半導体薄膜の少なくともチャンネル部のエッジ部に絶縁性傾斜部又は高抵抗傾斜部が形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 29/78 618 C
, H01L 29/78 618 Z
