特許

J-GLOBAL ID：200903006313151810

時分割感知機能を備える不揮発性半導体メモリ装置及びそのデータ感知方法。

発明者： 趙 台 ▲ヒー▼ ,  林 瀛 湖
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-204435
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109391
出願日： 2002年07月12日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：

【要約】【課題】 時分割感知機能を備える不揮発性半導体メモリ装置及びそのデータ感知方法を提供する。【解決手段】 本発明の不揮発性半導体メモリ装置によると、ページバッファの感知ノードのうちの奇数(又は偶数)感知ノードの電圧は、第1感知区間の間、対応するメモリセルの状態によって変わる一方、偶数(又は奇数)感知ノードの電圧は、第1感知区間の間、特定電圧に固定される。偶数(又は奇数)感知ノードの電圧は、第2感知区間の間、対応するメモリセルの状態によって変わる一方、奇数(又は偶数)感知ノードの電圧は、第2感知区間の間、特定電圧に固定される。このような感知スキームによると、オフセルに対応する感知ノードがフローティング状態になっても、フローティング状態の感知ノードの電圧はオンセルに対応する感知ノードの電圧が低くなる時に、減少しない。

請求項（抜粋）：

複数の行及び複数の列の交差領域に配列されるメモリセルのアレイ内に貯蔵されたデータを感知する方法において、前記列にプリチャージ電圧を供給する段階と、前記プリチャージ電圧を遮断して、前記列の電圧がディベロップする段階と、第1感知区間の間、前記列のうちの第1列に感知電流を供給して、第1感知ノード上の電圧を感知する段階と、を含み、前記第1感知区間の間、前記列のうちの第2列に対応する第2感知ノードはバイアス電圧が供給されることを特徴とするデータ感知方法。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  G11C 16/02

FI (5件)：

G11C 17/00 634 Z ,  G11C 17/00 613 ,  G11C 17/00 634 C ,  G11C 17/00 634 B ,  G11C 17/00 634 A

Fターム (4件)：

5B025AA01 ,  5B025AD06 ,  5B025AD11 ,  5B025AE08

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-203570   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-276393
  
• 半導体記憶装置及び電圧バイアス回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-245915   出願人：株式会社東芝
• 特開平2-091884
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-172261   出願人：株式会社東芝