特許

J-GLOBAL ID：200903006325481785

平坦化された誘電層を半導体基板上に堆積させるための方法及び装置

発明者： ビークマン,ナット ,  キーマズ,アドライアン ,  マックラトシエ,サイモン ,  テイラー,マーク,フィリップ ,  ティムズ,ピーター,レズリー ,  モア,ダレン,リーロイ
出願人/特許権者： トリコン エクウィプメンツ リミテッド
代理人 (1件)： 新部 興治 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-510514
公開番号（公開出願番号）：特表2001-504989
出願日： 1997年08月21日
公開日（公表日）： 2001年04月10日
要約：

【要約】本発明は、半導体基板を処理するための方法及び装置に関する。方法は、主として、一般式RaSi(OH)b又はRaSiHb(OH)cの液状短鎖ポリマを基板上に形成することにより該基板を処理することを含む。ここで、それぞれa+b=4又はa+b+c=4、a、b及びcは整数、Riは炭素含有基でありSi-C結合が推定される。

請求項（抜粋）：

一般式RaSi(OH)b又はRaSiHb(OH)cの液状短鎖ポリマを基板上に堆積することを含み、それぞれa+b=4又はa+b+c=4、a、b 及びcは整数、Riは炭素含有基であり珪素-炭素結合が推定される、 ことを特徴とする半導体基板を処理するための方法。

IPC (3件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 21/312 C ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法および半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-012410   出願人：株式会社東芝
• 化学的気相成長法による絶縁膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-157587   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-012411   出願人：株式会社東芝
• 特公平7-093296