特許

J-GLOBAL ID：200903018748115988

化学的気相成長法による絶縁膜の製造方法

発明者： 長谷川 利昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-157587
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008031
出願日： 1995年06月23日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、埋め込み能力とギャップフィル能力とを高い状態に保ってSiO2 よりも低い誘電率を有する酸化シリコン系の絶縁膜の形成を図る。【構成】 少なくともメチルフロロシランと水、またはメチルフロロシランと過酸化水素を含む原料ガスを用いて、化学的気相成長法により絶縁膜14を形成する方法である。その原料ガスには、少なくとも、メチルシランと過酸化水素、メチルクロロシランと水、またはメチルクロロシランと過酸化水素を含むものも用いることも可能である。

請求項（抜粋）：

化学的気相成長法による絶縁膜の製造方法において、前記化学的気相成長法で用いる原料ガスは、少なくともメチルフロロシランと水、またはメチルフロロシランと過酸化水素を含むことを特徴とする化学的気相成長法による絶縁膜の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/90 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-154048   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-068855   出願人：川崎製鉄株式会社