特許
J-GLOBAL ID：200903006339192255
p型窒化物半導体の製造方法及び窒化物半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-296872
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144960
出願日： 1996年11月08日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：
【要約】【目的】 主としてキャリア濃度の高いp型窒化物半導体が得られる製造方法を提供することにより、そのp型窒化物半導体を用いた各種デバイスの発光効率、受光効率を向上させる。【構成】 気相成長法により、n型不純物とp型不純物とを同時にドープして、さらに結晶中に水素を含む窒化物半導体を成長させた後、その窒化物半導体層中に含まれる水素を除く方法と、n型窒化物半導体層と、インジウムを含む窒化物半導体よりなる活性層と、p型窒化物半導体層と、p電極層とを順に有する窒化物半導体素子において、前記活性層と、前記p電極層との間に、p型不純物とn型不純物とがドープされたp型窒化物半導体層を少なくとも1層有することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
気相成長法により、n型不純物とp型不純物とを同時にドープして、さらに結晶中に水素を含む窒化物半導体を成長させた後、その窒化物半導体層中に含まれる水素を除くことを特徴とするp型窒化物半導体の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 33/00
, H01L 21/205
, H01L 21/324
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, H01L 21/205
, H01L 21/324 C
, H01S 3/18
