特許
J-GLOBAL ID：200903036643180251

p型半導体膜および半導体素子

発明者：
藤本 英俊

藤本 英俊 について

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板谷 和彦

板谷 和彦 について

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西尾 譲司

西尾 譲司 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-332199
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321389
出願日： 1996年12月12日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 高キャリア濃度を有するp型半導体膜を具備する半導体素子を提供する。【解決手段】 p型半導体層とn型半導体層とによるpn接合を有し、前記p型半導体層中にp型導電性を付与するためのアクセプター性不純物と残留ドナーを補償するためのアクセプター性不純物とを含むことを特徴とする半導体素子である。
請求項（抜粋）：
半導体膜にp型導電性を付与するためのアクセプター性不純物と残留ドナーを補償するためのアクセプター性不純物とを含むことを特徴とするp型半導体膜。
IPC (4件)：
H01S 3/18 ,  H01L 29/20 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/20
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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