特許
J-GLOBAL ID：200903006339765018
電子素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-242283
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068015
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】 電子放出効率が向上した電子素子を提供すること。【解決手段】 n型不純物を添加した半導体薄膜2表面が水素で終端3されており、半導体薄膜2の一端に第一の電極6を有し、他端に第二の電極7を有し、半導体薄膜2表面に対向する位置に第三の電極9を有し、第一の電極6と第二の電極7の間に電圧を印加し半導体薄膜2を加熱し、第一の電極6と第二の電極7の電位の平均値を基準に第三の電極9の電位が正になるように第三の電極9に電圧を印加し、真空中において半導体薄膜2表面より電子を放出させることを特徴とする電子素子
請求項（抜粋）：
n型不純物を添加した半導体薄膜表面が水素で終端されており、前記半導体薄膜の一端に第一の電極を有し、他端に第二の電極を有し、前記半導体薄膜表面に対向する位置に第三の電極を有し、第一の電極と第二の電極の間に電圧を印加し前記半導体薄膜を加熱し、第一の電極と第二の電極の電位の平均値を基準に第三の電極の電位が正になるように第三の電極に電圧を印加し、真空中において前記半導体薄膜表面より電子を放出させることを特徴とする電子素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 F
, H01J 1/30 M
