特許
J-GLOBAL ID：200903057789744944
電子放出素子及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池内 寛幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-072358
公開番号（公開出願番号）：特開平9-320450
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 ダイヤモンド層を用いたMIS、pn、pin構造に順方向バイアスを印加して、電子を電子供給層よりp型のダイヤモンド層に供給することにより、効率的に電子線を放出する電子放出素子とその製造方法を提供する。【解決手段】 電極層と電子供給層とダイヤモンド層とを含んだ積層構造とするか、または真空紫外線照射などの方法により、ダイヤモンド層表面の電子親和力状態を任意に制御する。電極層11a、11b間にバイアスを印加することにより、挟まれた電子供給層12及びダイヤモンド層13に電界を印加することが可能となる。印加バイアスの大きさを制御することにより、電界を電子供給層12に与えることができ、電子を一方の電極層11aから電子供給層12、更に電子供給層12からダイヤモンド層13に容易に注入することが可能となる。ダイヤモンド層の表面14の状態を制御することによって負の電子親和力の状態することができる。
請求項（抜粋）：
ダイヤモンド層を用いて形成される電子放出素子であって、電極層と電子供給層とダイヤモンド層とを含む積層構造を有し、前記電子供給層から前記ダイヤモンド層に電子を供給することを特徴とする電子放出素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 A
, H01J 9/02 B
