特許
J-GLOBAL ID：200903006360799771

半導体装置およびその作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について

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平形 吉晴

平形 吉晴 について

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村上 智史

村上 智史 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-145899
公開番号（公開出願番号）：特開2001-033824
出願日： 2000年05月18日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 IPS方式の液晶表示装置において、保持容量の形成方法を提案し、開口率の高い画素領域を形成する技術を提供する。【解決手段】IPS方式によるLCDに代表される電気光学装置の各回路に用いられる絶縁膜、特に樹脂膜上に形成された共通電極103の表面を印加電圧/給電時間が11V/min以上で陽極酸化工程を行い、陽極酸化膜で覆うことによって、廻り込み量を少なくすることができ、密着性の優れた電極を有する信頼性の高い液晶表示装置を作製することができる。
請求項（抜粋）：
一対の基板と該一対の基板に挟持された液晶層とを有し、前記一対の基板のうち、一方の基板には画素電極が形成されており、前記画素電極と共通電極との間で基板面に平行な電界を印加する半導体装置において、共通電極と、該共通電極の少なくとも一部に酸化膜と、該酸化膜の上に設けられた画素電極とで形成される容量を備えていることを特徴とする半導体装置。
IPC (7件)：
G02F 1/1368 ,  G02F 1/1339 500 ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/30 320 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (8件)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1339 500 ,  G02F 1/1343 ,  G09F 9/30 320 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 29/78 619 A
引用特許：
審査官引用 (5件)
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