特許
J-GLOBAL ID:200903006360836464
傾斜層の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
八田 幹雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-330481
公開番号(公開出願番号):特開平8-225948
出願日: 1995年12月19日
公開日(公表日): 1996年09月03日
要約:
【要約】【解決手段】 傾斜層を製造するプラズマCVD法であり、かかる層の傾斜は、被覆プロセス中に少なくとも1つの出力パラメーターを変化させることにより、層の成長方向に製造される。【効果】 パルス法でプラズマ出力を供給し、パルス振幅、パルス期間および/またはパルス間隔に関するプラズマ出力パラメーターを変化させることによって層の傾斜を調整することにより、高精度で薄層を形成できる。
請求項(抜粋):
層を製造するプラズマCVD法、ここで、該層の傾斜が被覆プロセス中に少なくとも1つのプラズマ出力パラメーターを変化させることにより該層の成長方向に作られる、において、プラズマパルスCVD法で出力パルス列としてプラズマ出力を供給し、ここで、該パルス列はパルス振幅、パルス幅およびパルス間隔のパラメーターを有する;さらに該パルス振幅、パルス幅およびパルス間隔の少なくとも1つを変化させることにより、該層の傾斜を調整するステップを含むことを特徴とするプラズマCVD法。
IPC (2件):
FI (2件):
引用特許: