特許
J-GLOBAL ID：200903006360836464
傾斜層の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-330481
公開番号（公開出願番号）：特開平8-225948
出願日： 1995年12月19日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：
【要約】【解決手段】 傾斜層を製造するプラズマCVD法であり、かかる層の傾斜は、被覆プロセス中に少なくとも1つの出力パラメーターを変化させることにより、層の成長方向に製造される。【効果】 パルス法でプラズマ出力を供給し、パルス振幅、パルス期間および/またはパルス間隔に関するプラズマ出力パラメーターを変化させることによって層の傾斜を調整することにより、高精度で薄層を形成できる。
請求項（抜粋）：
層を製造するプラズマCVD法、ここで、該層の傾斜が被覆プロセス中に少なくとも1つのプラズマ出力パラメーターを変化させることにより該層の成長方向に作られる、において、プラズマパルスCVD法で出力パルス列としてプラズマ出力を供給し、ここで、該パルス列はパルス振幅、パルス幅およびパルス間隔のパラメーターを有する;さらに該パルス振幅、パルス幅およびパルス間隔の少なくとも1つを変化させることにより、該層の傾斜を調整するステップを含むことを特徴とするプラズマCVD法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
