半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： , , , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-216894
公開番号（公開出願番号）：特開2006-121041
出願日： 2005年07月27日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：

【課題】小型・薄型で電流経路の抵抗および寄生インダクタンスが小さく、信頼性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板と、この半導体基板の表面に形成された第1の主電極と、前記半導体基板の裏面に形成された第2の主電極と、前記半導体基板を貫通する方向に形成された導通部を有し、前記第2の主電極が前記導通部を介して前記半導体基板の表面に引き出されていることを特徴とする。導通部を、半導体基板を厚さ方向に貫通して形成された貫通孔と、この貫通孔内に形成され第2の主電極に接続された導電部を有する貫通ビアとすることができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の素子面である表面に形成された第1の主電極と、前記半導体基板の裏面に形成された第2の主電極と、前記半導体基板を貫通する方向に形成された導通部を有し、前記第2の主電極が前記導通部を介して前記半導体基板の表面に引き出されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/78 , H01L 29/739 , H01L 23/12 , H01L 21/336 , H01L 23/52 , H01L 21/320

FI (8件)：

H01L29/78 652Q , H01L29/78 652L , H01L29/78 652N , H01L29/78 655Z , H01L23/12 301L , H01L29/78 658F , H01L29/78 301W , H01L21/88 J

Fターム (34件)：

5F033HH08 , 5F033MM30 , 5F033PP15 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ24 , 5F033QQ37 , 5F033VV07 , 5F033XX22 , 5F033XX23 , 5F140AA24 , 5F140AA25 , 5F140AA30 , 5F140AA39 , 5F140AB04 , 5F140AB06 , 5F140AC23 , 5F140AC24 , 5F140BA01 , 5F140BB02 , 5F140BB18 , 5F140BC06 , 5F140BC12 , 5F140BH30 , 5F140BJ05 , 5F140BJ29 , 5F140BK09 , 5F140BK24 , 5F140BK28 , 5F140BK37 , 5F140CA10 , 5F140CB02 , 5F140CC03 , 5F140CD08

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-274504 出願人：株式会社東芝
USP 6,767,820

審査官引用 (6件)

溝型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-214909 出願人：日産自動車株式会社
高電圧縦型DMOSトランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-162647 出願人：三星電子株式会社
特開平4-171765

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