特許
J-GLOBAL ID：200903006400548017
3族窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-267925
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092880
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：
【要約】【課題】正方向の正電圧に対する耐絶縁破壊性を向上させること。【解決手段】n伝導型の高キャリア濃度n+ 層3、発光層5、p伝導型のp層61とが3族窒化物半導体で形成された発光素子10において、発光層5と高キャリア濃度n+ 層3との間に、発光層5及び高キャリア濃度n+ 層3よりも電子濃度の低いn伝導型の3族窒化物半導体から成るn層4を設けた。n層4は、厚さ500〜6000Å、キャリア濃度5×1016〜5×1017/cm3のn伝導型の3族窒化物半導体で構成されている。n層4により、正方向の静電圧が印加された場合に、各層61、5、4、3及び各層間の電界が小さくなり、正方向の静電耐圧が向上する。500Vの正方向の静電耐圧が得られた。この値は従来の構造の発光素子の正方向の静電耐圧の5倍である。
請求項（抜粋）：
n伝導型の高キャリア濃度n+ 層、発光層、p伝導型のp層とが3族窒化物半導体で形成された発光素子において、前記発光層と前記高キャリア濃度n+ 層との間に、前記発光層及び前記高キャリア濃度n+ 層よりも電子濃度の低いn伝導型の3族窒化物半導体から成るn層を設けたことを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。
引用特許：
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