特許
J-GLOBAL ID：200903006413502245

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者：
前田 茂伸

前田 茂伸 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-167475
公開番号（公開出願番号）：特開平9-018007
出願日： 1995年07月03日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：
【要約】【目的】 オン電流を向上させ、オフ電流を低減する。【構成】 シリコン薄膜5は多結晶であり、チャネル6には、ゲート絶縁膜4を挟んでゲート電極3が対向し、ドレイン領域7およびソース領域8には、それぞれドレイン電極10およびソース電極11が接続されている。シリコン薄膜5は、ゲート絶縁膜4の上にアモルファスSiを薄膜状に堆積した後に、固相成長で多結晶化されることによって得られている。しかも、多結晶化された後に、酸化処理とRTAとが施されることによって、(111)面方位に次いで(311)面方位の比率が高くなっている。このため、シリコン薄膜5における移動度が高く、さらに酸化膜との界面準位が小さいので、オン電流が高く、オフ電流が低い。【効果】 オン電流が高く、オフ電流が低い。
請求項（抜粋）：
能動領域が多結晶の半導体薄膜で構成された薄膜トランジスタであって、前記半導体薄膜の面方位の比率において、(111)面に次いで(311)面が最も高いことを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (2件)：
H01L 29/78 620 ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
審査官引用 (2件)

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