特許
J-GLOBAL ID：200903006430254832
炭化珪素半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-259995
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069040
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】より設計の自由度を増すことができる炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】N型のSiC基板1の上に、N-ドリフト層2とP+型の第1のゲート層3とN+ソース層4とが順に積層されるとともに、ソース層4と第1のゲート層3とを貫通してドリフト層2に達するトレンチ5が形成され、さらに、このトレンチ5の内壁にN-型チャネル層6とP+型の第2のゲート層7が形成されている。ドリフト層2内にスーパージャンクション構造とするためのP型不純物領域30が並設され、深さ方向において濃度が異なるとともに横方向の幅が深さ方向において異なっている。
請求項（抜粋）：
ドレイン領域となる第1導電型のSiC基板(1)の上にSiCよりなる低濃度な第1導電型のドリフト層(2)が形成されるとともに、当該ドリフト層(2)の上またはドリフト層(2)の表層部にSiCよりなる第1導電型のソース層(4)を配し、さらに、ドリフト層(2)の内部に第2導電型の不純物領域(30)を並設することにより、ドリフト層(2)に第1導電型の不純物領域と第2導電型の不純物領域を横方向に交互に埋設してスーパージャンクションとした炭化珪素半導体装置において、前記不純物領域(30)は、深さ方向において濃度が異なっていることを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/80
, H01L 21/337
, H01L 29/808
H01L 29/80 V
, H01L 29/80 C
5F102GB04
, 5F102GB05
, 5F102GC05
, 5F102GC07
, 5F102GC09
, 5F102GD04
, 5F102GJ02
, 5F102GL02
, 5F102GR07
, 5F102GS01
, 5F102GT02
, 5F102HC07
