特許
J-GLOBAL ID：200903006431955370
固体撮像装置および固体撮像装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-175245
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353955
出願日： 2004年06月14日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：
【課題】裏面照射型の固体撮像装置において、製造工程中に形成する電極取り出し用の開口による段差の影響を抑制し、精度の高い光学部品等を製造できるようにすること。【解決手段】本発明は、フォトダイオード20を形成した半導体基板の一方面に層間膜30を介して信号回路22を形成し、他方面側からフォトダイオード20に光を取り込む固体撮像装置において、半導体基板の他方面から半導体基板の一方面と層間膜30との境界まで形成される電極取り出し用開口23と、電極取り出し用開口23に形成される金属膜26と、層間膜30を貫通する状態で信号回路22と金属膜26とを接続するコンタクト60とを備える固体撮像装置である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
受光領域を形成した半導体基板の一方面に層間膜を介して信号回路を形成し、他方面側から前記受光領域に光を取り込む固体撮像装置において、
前記半導体基板の他方面から前記半導体基板の一方面と前記層間膜との境界まで形成される電極取り出し用開口と、
前記電極取り出し用開口に形成される金属膜と、
前記層間膜を貫通する状態で前記信号回路と前記金属膜とを接続するコンタクトと
を備えることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (17件)：
4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA03
, 4M118CA17
, 4M118CA32
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118EA18
, 4M118FA06
, 4M118FA33
, 4M118GA02
, 4M118GB04
, 4M118GB09
, 4M118GB11
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 4M118GD07
