窒化物半導体レーザ素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-171911
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022578
出願日： 1996年07月02日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【目的】窒化物半導体を用いたレーザ素子の出力を高めると共に、高集積化が可能なレーザ素子を実現する。【構成】基板上に活性層を含む窒化物半導体層が積層されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記レーザ素子は、活性層(12)端面にエッチングで形成された対向する第1の共振面(21)と第2の共振面(22)とを有し、さらに、少なくとも一方の共振面の外側にあり、端面が基板水平方向に対して傾斜した角度でエッチングされた窒化物半導体層の表面にミラー(23)が形成されており、共振面間(21、22)で共振されたレーザ光がミラー(23)で反射されることにより、レーザ光の少なくとも一方が基板水平方向と異なる方向に出射されることにより、ストライプ導波路型のレーザが面発光型のレーザとなるので高集積化が可能となる。

請求項（抜粋）：

基板上に活性層を含む窒化物半導体層が積層されてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記レーザ素子は、活性層(12)端面にエッチングで形成された対向する第1の共振面(21)と第2の共振面(22)とを有し、さらに、少なくとも一方の共振面の外側にあり、端面が基板水平方向に対して傾斜した角度でエッチングされた窒化物半導体層の表面にミラー(23)が形成されており、共振面間(21、22)で共振されたレーザ光がミラー(23)で反射されることにより、レーザ光の少なくとも一方が基板水平方向と異なる方向に出射されることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-228790
特開昭64-050588
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-305257 出願人：旭化成工業株式会社

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